配资平台实盘平台氮化镓助力800VDC架构落地，英伟达再次引领AI计算新时代

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随着AI领域的迅猛发展，AI数据中心规模呈现指数级增长，GPU机柜的功率需求正在迅速增长，传统的54V直流电力架构面临着巨大的挑战。高电流需求使得对导线材质、线径和电源架的要求不断增加，且单单铜线的使用导致了数据中心空间的巨大占用。根据的数据显示，若依然使用54V架构，1MW级别的服务器仅电源系统便需要占据64U的空间，为AI数据中心的规模扩张带来了一定难题。

英伟达提出800VDC架构蓝图

为解决上述难题，英伟达已经提出800VDC架构蓝图，且将多家企业纳入合作供应链，联合推动800VDC电源架构建设。英诺赛科成为该电源架构的合作伙伴之一，也是本次入选合作伙伴中唯一中国芯片企业。

（英诺赛科与意法半导体的800V转54V方案，OCP2025）

在今年10月的OCP全球峰会上，英诺赛科与意法半导体共同展示了他们的800V转54V电源解决方案，这是本次峰会上唯一展出的供应商方案。

英诺赛科氮化镓助推英伟达构建800VDC架构

800VDC架构的核心目标是实现高频、高效和高功率密度的电源转换。而传统硅基器件因存在诸多劣势，在高功率密度场景下效率较低。而氮化镓作为第三代半导体核心材料，凭借其自身优势，成为800 VDC架构的理想载体。英伟达本次选择与英诺赛科达成合作，力求借助双方的优势，共同开拓800 VDC架构高的广阔前景。

在800VDC架构架构中，电源分为三级转换，确保系统的高效性和紧凑性。第一级是从800V-54V的隔离DC/DC转换，第二级别是54V-12V板级DC/DC电源转换，第三级是12V-0.8V GPU供电。

该架构的第二和第三级为满足效率需求，分别需要采用100V和30V氮化镓器件，其可有效提升系统频率，降低被动器件体积，推动电力供应架构向更高效、更紧凑的方向发展。

而英诺赛科是目前市场唯一一家能全面量产中高低压氮化镓的功率器件厂商，因此成为本次与英伟达合作构筑800VDC架构的关键。英诺赛科拥有自主研发的8英寸GaN-on-Si量产线，良率超95%，产能与成本竞争力强劲。其第三代GaN器件效率高达98.5%，适配15~1200V全电压场景，实现低中高压DC-DC全覆盖，为英伟达Kyber机架提供端到端800 VDC氮化镓电源，将800V高压直流架构由蓝图推向行业标准，助力数据中心能耗降20~30%、减碳千万吨、空间省40%，开启新一轮AI算力爆发周期，是助推英伟达800 VDC架构落地的核心合作伙伴。

充电头网总结

英伟达推动的800VDC架构蓝图标志着AI数据中心领域的重要突破，800VDC架构以其高效率、低损耗、节省空间的优势，成为应对挑战的理想方案。此外，英伟达和英诺赛科在该架构的合作直接展示了800VDC架构的潜力，在提升AI数据中心系统性能、降低能耗方面的拥有巨大潜力。预计该架构的广泛应用将推动AI算力的指数级增长，同时为AI数据中心带来更低的能耗和更高的空间利用率，助力行业实现绿色低碳发展。

充电头网了解到，英诺赛科是全球氮化镓工艺创新与功率器件制造领导者。英诺赛科的器件设计与性能树立了全球氮化镓技术标杆，持续迭代创新的企业文化将加速氮化镓性能提升与市场普及。公司的氮化镓产品广泛应用于低压、中压和高压产品领域，涵盖了从15V至1200V的氮化镓工艺节点。公司的晶圆、分立器件、集成功率集成电路（IC）以及模组产品为客户提供了强劲可靠的氮化镓（GaN）解决方案。凭借800项已授权及申请中的专利布局，英诺赛科产品以高可靠性、性能与功能优势，服务于消费电子、汽车电子、数据中心、可再生能源及工业电源领域，开创氮化镓技术的光明未来。

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